Field-effect semiconductor device and method for manufacturing same

WO2014069032 Art A1 8. Mai 2014

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014069032
Aktenzeichen: EP13851616
Anmeldetag: 13. Juni 2013
Veröffentlichung: 8. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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