Transverse Ultra-Thin Insulated Gate Bipolar Transistor Having High Current Density
WO2014071673
Art A1
15. Mai 2014
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014071673
- Aktenzeichen
- EP12887942
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/739H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.