Silicon single crystal production method, silicon single crystal wafer production method, and silicon single crystal wafer

WO2014073164 Art A1 15. Mai 2014

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014073164
Aktenzeichen: EP13853789
Anmeldetag: 11. Oktober 2013
Veröffentlichung: 15. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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