Field-Effect Transistor

WO2014073295 Art A1 15. Mai 2014

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014073295
Aktenzeichen: EP13852953
Anmeldetag: 2. Oktober 2013
Veröffentlichung: 15. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L21/336H01L21/822H01L21/8236H01L27/04H01L27/088H01L29/41H01L29/417H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.804 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von