Nanopillar field-effect and junction transistors

WO2014074180 Art A1 15. Mai 2014

Anmelder: California Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014074180
Aktenzeichen: EP13853809
Anmeldetag: 12. Juli 2013
Veröffentlichung: 15. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: California Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 California Institute of Technology

Private Forschungsuniversität in Pasadena, Kalifornien (USA), mit Schwerpunkt auf Naturwissenschaften und Ingenieurwesen. Sie betreibt unter anderem das Jet Propulsion Laboratory und zählt zu den weltweit führenden Technikhochschulen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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