Concurrent use of sram cells with both nmos and pmos pass gates in a memory system

WO2014074362 Art A1 15. Mai 2014

Anmelder: Marvell World Trade Ltd. 🇧🇧

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014074362
Aktenzeichen: EP13793016
Anmeldetag: 30. Oktober 2013
Veröffentlichung: 15. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/419G11C11/417G11C7/12

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Firma: Marvell World Trade Ltd.
Land: 🇧🇧 BB

🇧🇧 Marvell World Trade

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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