Trench mosfet and method for forming the same

WO2014075632 Art A1 22. Mai 2014

Anmelder: Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited, BYD Company Limited 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014075632
Aktenzeichen: EP13855152
Anmeldetag: 15. November 2013
Veröffentlichung: 22. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited
BYD Company Limited
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BYD

Chinesischer Konzern für Elektromobilität und Batterietechnik mit Sitz in Shenzhen. BYD entwickelt Elektro- und Hybridfahrzeuge, Akkumulatoren sowie Elektronik- und Halbleiterkomponenten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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