Method for etching semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor element

WO2014077199 Art A1 22. Mai 2014

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014077199
Aktenzeichen: EP13855697
Anmeldetag: 8. November 2013
Veröffentlichung: 22. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/308H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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