Etching method for semiconductor substrate and production method for semiconductor element

WO2014077249 Art A1 22. Mai 2014

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014077249
Aktenzeichen: EP13855670
Anmeldetag: 12. November 2013
Veröffentlichung: 22. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/306H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von