Etching fluid for semiconductor substrate, etching method using same, and method for manufacturing semiconductor element
WO2014077320
Art A1
22. Mai 2014
Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014077320
- Aktenzeichen
- EP13854462
- Anmeldetag
- 14. November 2013
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/308H01L21/306H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJIFILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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