Strip-shaped gate modulated tunnel field effect transistor and method of preparing same

WO2014079218 Art A1 30. Mai 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014079218
Aktenzeichen: EP13857251
Anmeldetag: 8. Juli 2013
Veröffentlichung: 30. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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