Fabrication and passivation of silicon surfaces

WO2014081817 Art A2 30. Mai 2014

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014081817
Aktenzeichen: EP13802490
Anmeldetag: 20. November 2013
Veröffentlichung: 30. Mai 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312C23C14/12B05D1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

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