P-type mosfet and manufacturing method thereof

WO2014082342 Art A1 5. Juni 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014082342
Aktenzeichen: EP12889275
Anmeldetag: 7. Dezember 2012
Veröffentlichung: 5. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/49H01L29/76H01L29/772

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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