Strip-shaped gate tunneling field effect transistor with double diffusion and preparation method therefor

WO2014082451 Art A1 5. Juni 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014082451
Aktenzeichen: EP13858786
Anmeldetag: 8. Juli 2013
Veröffentlichung: 5. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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