Oxide semiconductor element, method for manufacturing oxide semiconductor element, display device and image sensor

WO2014084051 Art A1 5. Juni 2014

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014084051
Aktenzeichen: EP13857724
Anmeldetag: 13. November 2013
Veröffentlichung: 5. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L27/146H01L29/786H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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