Semiconductor device

WO2014084152 Art A1 5. Juni 2014

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014084152
Aktenzeichen: EP13858124
Anmeldetag: 19. November 2013
Veröffentlichung: 5. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/336H01L21/8234H01L21/8242H01L21/8247H01L27/06H01L27/08H01L27/105H01L27/108H01L27/115H01L29/417H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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