Select gate formation for nanodot flat cell

WO2014085108 Art A1 5. Juni 2014

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014085108
Aktenzeichen: EP13798509
Anmeldetag: 15. November 2013
Veröffentlichung: 5. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/788H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von