Crystal growth through irradiation with short laser pulses

WO2014085324 Art A1 5. Juni 2014

Anmelder: President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014085324
Aktenzeichen: EP13859052
Anmeldetag: 25. November 2013
Veröffentlichung: 5. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: B23K26/00B01J19/12B05D3/06B22F9/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: President and Fellows of Harvard College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Verfahrens- & Trenntechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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