Igbt and cell structure thereof, and method for forming igbt

WO2014086013 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences, Jiangsu R&D Center For Internet Of Things, Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014086013
Aktenzeichen: EP12889457
Anmeldetag: 6. Dezember 2012
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/36H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Jiangsu R&D Center For Internet Of Things
Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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