Ti-igbt and formation method thereof

WO2014086015 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences, Shanghai Lianxing Electronics Co., Ltd., Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014086015
Aktenzeichen: EP12889539
Anmeldetag: 6. Dezember 2012
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Shanghai Lianxing Electronics Co., Ltd.
Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

610 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von