Rc-igbt and manufacturing method therefor

WO2014086016 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences, Shanghai Lianxing Electronics Co., Ltd., Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014086016
Aktenzeichen: EP12889532
Anmeldetag: 6. Dezember 2012
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Shanghai Lianxing Electronics Co., Ltd.
Jiangsu Cas-IGBT Technology Co., Ltd
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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