Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

WO2014086479 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014086479
Aktenzeichen: EP13799486
Anmeldetag: 3. Dezember 2013
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/417H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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