Thin film transistor and method for manufacturing same

WO2014087829 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014087829
Aktenzeichen: EP13859716
Anmeldetag: 15. November 2013
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G02F1/1368H01L21/20H01L29/786H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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