Substrate treatment device, substrate treatment method, semiconductor-device manufacturing method, and control program

WO2014088026 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014088026
Aktenzeichen: EP13860960
Anmeldetag: 4. Dezember 2013
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/52H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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