In-situ oxidized nio as electrode surface for high k mim device

WO2014088691 Art A1 12. Juni 2014

Anmelder: ENTEGRIS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014088691
Aktenzeichen: EP13861411
Anmeldetag: 30. September 2013
Veröffentlichung: 12. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ENTEGRIS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Entegris

US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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