Ultra shallow junction semiconductor field effect transistor and preparation method thereof

WO2014089780 Art A1 19. Juni 2014

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014089780
Aktenzeichen: EP12889764
Anmeldetag: 12. Dezember 2012
Veröffentlichung: 19. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/203H01L21/324H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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