Substrate defect inspection method, substrate defect inspection device, and computer storage medium

WO2014091928 Art A1 19. Juni 2014

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014091928
Aktenzeichen: EP13861783
Anmeldetag: 27. November 2013
Veröffentlichung: 19. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/956G01B11/30H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von