Single-crystal production method, and single crystal produced using said method
WO2014091968
Art A1
19. Juni 2014
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014091968
- Aktenzeichen
- EP13862015
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B1/02C23C14/06C23C14/08C23C14/58C30B29/16C30B29/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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