Composition, laminate, method for producing laminate, transistor, and method for producing transistor
WO2014092019
Art A1
19. Juni 2014
Anmelder: Nikon Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014092019
- Aktenzeichen
- EP13863208
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08G59/20B32B27/16C07D303/27C08G59/62C08G59/68C09D5/25C09D163/00H01L21/312H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/30H01L51/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nikon Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nikon
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.
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