Oxide semiconductor element, process for producing oxide semiconductor element, display device, image sensor and x-ray sensor

WO2014092192 Art A1 19. Juni 2014

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014092192
Aktenzeichen: EP13862211
Anmeldetag: 13. Dezember 2013
Veröffentlichung: 19. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336C23C14/06G02F1/1368G09F9/30H01L27/144H01L29/786H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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