Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

WO2014092320 Art A1 19. Juni 2014

Anmelder: Seoul Viosys Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014092320
Aktenzeichen: EP13863246
Anmeldetag: 10. Oktober 2013
Veröffentlichung: 19. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L33/32H01L33/04H01L33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul Viosys Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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