Reducing Leakage Current in Semiconductor Devices

WO2014093555 Art A1 19. Juni 2014

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014093555
Aktenzeichen: EP13863220
Anmeldetag: 11. Dezember 2013
Veröffentlichung: 19. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L21/8222H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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