Charge trapping device with improved select gate to memory gate isolation

WO2014093612 Art A1 19. Juni 2014

Anmelder: Spansion LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014093612
Aktenzeichen: EP13863412
Anmeldetag: 12. Dezember 2013
Veröffentlichung: 19. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Spansion LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Spansion

Spansion war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf Flash-Speicher spezialisiert war und später in Cypress Semiconductor aufging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik, ergänzt um Software. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2014.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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