Resistive random access memory and preparation method thereof

WO2014094417 Art A1 26. Juni 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014094417
Aktenzeichen: EP13865966
Anmeldetag: 8. Juli 2013
Veröffentlichung: 26. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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