Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten sowie Dotiertes Halbleitersubstrat

WO2014096443 Art A1 26. Juni 2014

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014096443
Aktenzeichen: EP13814157
Anmeldetag: 23. Dezember 2013
Veröffentlichung: 26. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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