Gallium nitride substrate, and method for producing nitride semiconductor crystal

WO2014097931 Art A1 26. Juni 2014

Anmelder: Mitsubishi Chemical Holdings Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014097931
Aktenzeichen: EP13866387
Anmeldetag: 10. Dezember 2013
Veröffentlichung: 26. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Holdings Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

2.926 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von