Vertical cross-point embedded memory architecture for metal-conductive oxide-metal (mcom) memory elements

WO2014099175 Art A1 26. Juni 2014

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014099175
Aktenzeichen: EP13864515
Anmeldetag: 8. November 2013
Veröffentlichung: 26. Juni 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.633 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von