Static Random Storage Unit Having Radiation Reinforcement Design

WO2014101122 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014101122
Aktenzeichen: EP12891177
Anmeldetag: 28. Dezember 2012
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

610 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von