Low-Parasitic-Inductance Igbt Power Module

WO2014101338 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: Zhejiang University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014101338
Aktenzeichen: EP13866651
Anmeldetag: 4. Februar 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H03K17/567

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Zhejiang University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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