Second-order memristor having multi-resistance-state property and modulation method thereof

WO2014101344 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: Huazhong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014101344
Aktenzeichen: EP13869389
Anmeldetag: 22. Februar 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Huazhong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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