Method for forming resistive random access memory cell

WO2014101773 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014101773
Aktenzeichen: EP13866642
Anmeldetag: 25. Dezember 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C11/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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