Method for producing sic single crystal

WO2014103539 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014103539
Aktenzeichen: EP13866778
Anmeldetag: 11. November 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.492 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von