Eccentricity evaluation method and method for manufacturing epitaxial wafer
WO2014103657
Art A1
3. Juli 2014
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014103657
- Aktenzeichen
- EP13869625
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
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