Coating solution of multi-component oxide semiconductor precursor and process for manufacturing multi-component oxide semiconductor film using said coating solution

WO2014103928 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014103928
Aktenzeichen: EP13869464
Anmeldetag: 20. Dezember 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/368C01G15/00H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von