Semiconductor device

WO2014104267 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014104267
Aktenzeichen: EP13867147
Anmeldetag: 18. Dezember 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/34G02F1/1368H01L21/28H01L21/336H01L21/8238H01L21/8242H01L21/8247H01L27/08H01L27/092H01L27/105H01L27/108H01L27/115H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/788H01L29/792H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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