Method for treating defects at junction area of semiconductor device using germanium

WO2014104552 Art A1 3. Juli 2014

Anmelder: Korea Advanced Nano Fab Center, Research & Business Foundation Sungkyunkwan University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014104552
Aktenzeichen: EP13868394
Anmeldetag: 24. Oktober 2013
Veröffentlichung: 3. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/26H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Advanced Nano Fab Center
Research & Business Foundation Sungkyunkwan University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University

Die Research & Business Foundation Sungkyunkwan University ist die Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der südkoreanischen Sungkyunkwan-Universität. Das Portfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Nachrichtentechnik, mit weiteren Anmeldungen in Mess- und Softwaretechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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