Exposure method for reducing exposure defocusing in wafer edge area and photolithographic process
WO2014108039
Art A1
17. Juli 2014
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014108039
- Aktenzeichen
- EP13870988
- Anmeldetag
- 31. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/20H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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