Field-Effect Transistor

WO2014108940 Art A1 17. Juli 2014

Anmelder: Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014108940
Aktenzeichen: EP13870413
Anmeldetag: 5. März 2013
Veröffentlichung: 17. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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