Method for manufacturing semiconductor device

WO2014109087 Art A1 17. Juli 2014

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014109087
Aktenzeichen: EP13870725
Anmeldetag: 19. August 2013
Veröffentlichung: 17. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/285H01L21/8238H01L27/092H01L27/12H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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