Sintered compact for fabricating amorphous transparent electroconductive film having low refractive index, and amorphous transparent electroconductive film having low refractive index
WO2014112209
Art A1
24. Juli 2014
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014112209
- Aktenzeichen
- EP13871893
- Anmeldetag
- 26. November 2013
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C04B35/453C04B35/00C04B35/553C23C14/08C23C14/24C23C14/34H01B5/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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